型号 | SPB100N03S203T |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK |
SPB100N03S203T PDF | |
代理商 | SPB100N03S203T |
产品目录绘图 | Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252 |
标准包装 | 1,000 |
系列 | OptiMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3 毫欧 @ 80A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 150nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 7020pF @ 25V |
功率 - 最大 | 300W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | P-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SP000016260 SPB100N03S203XTINTR |